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三星在去年6月，宣布其位于韩国的华城工厂开始生产3nm芯片。作为现阶段半导体制造工艺中最先进的技术之一，三星也成为了全球唯一一家采用下一代全新GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术，提供3nm工艺代工服务的代工企业。
这也是三星首次实现GAA“多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”应用，打破了FinFET原有的性能限制，通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时还通过增加驱动电流增强芯片性能。台积电（TSMC）随后在去年12月，也宣布启动3nm工艺的大规模生产，双方开始为3nm制程节点的订单展开激烈竞争。不同的是，台积电仍使用传统的FinFET（鳍式场效应晶体管）。
据FNNews报道，三星表示其3nm工艺量产后的良品率已达到60%到70%之间。这个数字对吸引客户的订单至关重要，因为晶圆订单首先考虑的是产量，其次才是每片晶圆的成本。过去三星的先进工艺在良品率方面，被认为存在数据假的问题，引发了不小的争议。随着近期5nm及其以下工艺的良品率提升，三星尝试在芯片设计者中重新建立信心。
三星还介绍了其3nm制程节点未来的计划，在SF3E（3GAE）之后，2023年至2024年间会逐步引入SF3（3GAP）及其改进版的SF3P（3GAP+）。到了2025年至2026年间，开始切入2nm制程节点，推出SF2和SF2P。更为先进的SF1.4预计会在2027年量产，这点去年三星也提及过。
